Constitución de InnoFAB
Catalunya impulsa desde Cerdanyola un centro de chips de 400 millones para reforzar su autonomía tecnológica europea
La iniciativa, bautizada como InnoFAB, prevé crear 200 empleos directos y atraer start-ups tecnológicas en el ámbito de la microelectrónica y nanotecnología

Los consellers de Presidencia, Albert Dalmau; de Economía y Finanzas, Alícia Romero; de Empresa y Trabajo, Miquel Sàmper, y de Investigación y Universidades, Núria Montserrat. / GENERALITAT DE CATALUNYA / ANDREU PUIGG

Posicionar a Catalunya dentro de la carrera europea hacia el liderazgo en el ámbito de los chips y semiconductores avanzados. Y hacerlo, además, en un contexto marcado por la competencia global entre Estados Unidos, Europa y Asia por atraer capacidad industrial y conocimiento. Ese es el horizonte al que la Generalitat aspira con la constitución del patronato de la Fundación InnoFAB, la entidad pública sin ánimo de lucro que, desde este lunes, pilotará la puesta en marcha del primer centro de prototipado de semiconductores avanzados de Catalunya.
Se trata de un proyecto estratégico que prevé movilizar cerca de 400 millones de euros y que se ubicará en el Parc de l’Alba de Cerdanyola del Vallès, junto al Sincrotrón Alba. El acto de constitución del patronato ha tenido lugar en la sede de la Conselleria de Investigación y Universidades, y ha contado con la participación de los consellers de Presidencia, Albert Dalmau; Economía y Finanzas, Alícia Romero; Empresa y Trabajo, Miquel Sàmper, y la titular de Investigación y Universidades, Núria Montserrat, departamento al que quedará adscrita la nueva fundación.
La creación de InnoFAB se enmarca en la estrategia del Govern para reforzar el peso tecnológico e industrial de Catalunya y consolidar el territorio como uno de los polos europeos de diseño, desarrollo y preproducción de chips avanzados. En línea, eso sí, con el European Chips Act y el PERTE Chip impulsado por el Ejecutivo central.
Con este fin, la nueva infraestructura estará orientada al desarrollo de micro y nanotecnologías basadas en semiconductores y tendrá una clara vocación industrial y de transferencia tecnológica (o tech-transfer). El objetivo es cubrir todo el proceso conocido como “Lab-to-Fab”, es decir, facilitar que las innovaciones desarrolladas en laboratorios puedan convertirse posteriormente en productos industriales.
El complejo contará con una sala blanca de 2.000 metros cuadrados destinada a la fabricación de prototipos y pequeñas series de chips avanzados con aplicaciones en ámbitos como la electrónica, la salud o la energía. Además, el proyecto prevé la construcción de tres edificios que sumarán cerca de 22.000 metros cuadrados: uno principal para fabricación, otro para oficinas y laboratorios y un tercero de servicios auxiliares.
Creación de empleo y atracción de start-ups
Según la Generalitat, se prevé que el centro genere unos 200 puestos de trabajo directos y actúe, además, como tractor para atraer talento, investigadores, start-ups tecnológicas y pequeñas y medianas empresas especializadas en microelectrónica y nanotecnología.
Porque aunque la actividad se focalizará inicialmente en Catalunya, el Govern subraya que la infraestructura tendrá alcance europeo e internacional gracias a sus colaboraciones científicas y tecnológicas. De hecho, el proyecto técnico ha sido liderado hasta ahora por el Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2), mientras que la ingeniería básica fue adjudicada el pasado enero al grupo IDP por 2,6 millones de euros.
Cabe resaltar que el ICN2 forma parte, a su vez, del Barcelona Institute of Science and Technology (BIST), institución de carácter público-privado que aglutina siete de los centros de investigación científicos de Catalunya adscritos a universidades públicas: el Centro de Regulación Genómica (CRG), Instituto de Bioingeniería (IBEC), Instituto de Ciencias Fotónicas (ICFO), Instituto de Investigación Química (ICIQ), Instituto de Física de Altas Energías (IFAE) y el Instituto de Investigación Biomédica (IRB Barcelona). Esta marca suma 2.700 investigadores, acumula 270 patentes y 56 'spin-offs'.
InnoFAB forma parte además del denominado “Tridente Innovador” incluido en el plan Catalunya Lidera. Junto a este centro, la estrategia incorpora otros dos grandes proyectos: DARE, liderado por el Barcelona Supercomputing Center para desarrollar tecnologías basadas en arquitectura RISC-V orientadas a supercomputación e inteligencia artificial; y PIXEurope, coordinado por el ICFO y centrado en circuitos fotónicos integrados.
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